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上个月月末，英特尔进行了“工艺与封装路线”在线直播，同时对工艺路线图进行了更新，原10ESF改名Intel 7，原7nm改名Intel 4，7SF改名Intel 3，5nmGAA改名Intel 20A。看起来好像和以前没啥变化，就是终于可以不用10nm+++来调侃英特尔的制程了，看起来简单明晰了不少，但细看之下，是不是有种不对劲的感觉？明明还是10nm的实际节点，怎么突然就叫Intel 7了？
事实上，Intel不是第一个这么做的，而且很大程度上来讲，Intel几乎是主流芯片制造商里动作最慢的一批，而屏幕前的你们，实际上已经被忽悠很久了。
即便你不知道CPU的完整工艺，也一定听说过“刻蚀”“光刻”这样的名词，作为集成电路制造过程中最直接体现工艺先进程度的技术，光刻主要是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，而且也是最能直接体现工艺先进程度的技术，而光刻技术的分辨率是指光刻系统能分辨和加工的最小尺寸，决定了硅片上形成符合质量规范要求的最小特征图形尺寸。
而我们平日里最关心的纳米制程，用在不同的半导体元件上，又有不同的含义。对CPU来说，一般指晶体管中的最小栅极线宽。因为栅极线宽越小，那么单个晶体管的尺寸就越小，CPU die也会越小，意味着在相同的die面积下可以集成更多的晶体管，性能自然是蹭蹭地往上涨。另一方面，由于栅极线宽变小，相应地工作电压也会变低，CPU的功耗也会随之降，而频率则会上升，这也就是我们平时听的最多的几句话：“xx纳米制程，性能提升xx%，功耗降低xx%，频率提升xx%”。
但就这几年的情况来看，芯片制造商们的境地，似乎也能用一个流行词来概括：内卷。
首当其冲的，就是这个纳米制程。就算你对各大厂的技术细节不太了解，也一定听过Intel 14nm+++++的传说，从Skylake到Kaby Lake，一直磨蹭到第十代酷睿，居然还在打磨14nm工艺，简直是匠心届的传奇，以至于外界一度传出了“Intel 10纳米工艺难产”之类的传言，但事情真有这么简单吗？
当然没有了。事实上真要说起来，Intel其实还挺冤的，因为他的老对头们台积电、三星的工艺数字，其实是经过“修饰”的，线宽仅仅代表工艺节点，但要衡量工艺的好坏，栅极间距、鳍片间距、最小金属间距以及逻辑单元高度都有关系。
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